简要描述：NGK日本氮化铝陶瓷半导体晶圆基座加热器日本 NGK 氮化铝 AlN 陶瓷加热器，属于半导体真空腔体内部的晶圆加热基座。

产品概述

发热电阻层与氮化铝陶瓷采用一体共烧成型工艺，实现硅晶圆均匀控温；部分款式可以内置静电吸附电极，做到加热与静电吸盘一体化，多用于 CVD、PVD、刻蚀等各类半导体真空工艺腔体。该产品属于定制品类，没有现成标准成品，依据晶圆尺寸、工作温度以及电极规格来生产制作。
NGK日本氮化铝陶瓷半导体晶圆基座加热器NGK日本氮化铝陶瓷半导体晶圆基座加热器

核心产品特点

1. 一体共烧成型，盘面温度均匀性好内部发热电阻直接埋入陶瓷基体共同烧结，不存在粘接夹层。氮化铝基材导热能力强，整块基座的热量扩散均衡，有效减少同批次晶圆之间的工艺偏差，最高工作温度可达 800℃。

2. 耐等离子腐蚀，杂质析出低高纯氮化铝陶瓷基体，对卤素类等离子腐蚀环境耐受性较强；因为无粘接胶层，可降低杂质释放，减少晶圆表面颗粒与金属污染，适配半导体高洁净真空制程。

3. 集成化复合基座方案陶瓷基体内部可埋置 RF 电极；可做成加热 + 静电吸附二合一基座，同时完成升温控温和晶圆静电固定，简化真空腔内部零部件布局；陶瓷轴和加热盘可以直接钎焊结合，减少装配零件数量。

4. 多等级氮化铝基材可选拥有多款氮化铝基材等级，不同导热、电阻率属性，分别适配低温、中温以及高温的各类工艺工况。

5. 覆盖主流晶圆尺寸可适配 8 英寸（200mm）、12 英寸（300mm）以及 450mm 大尺寸晶圆；供电端子采用镍棒，支持钎焊或者螺丝锁紧两种连接形式。

基础技术参数

• 基材材质：氮化铝 AlN，多材质等级可选

• 适配晶圆规格：200mm、300mm、450mm

• 最高工作温度：800℃

• 供电条件：100‑200V，15‑50A

• 电极的端子：镍棒，钎焊 / 螺丝紧固

• 可选功能：独立加热基座；加热 + 静电吸附一体化基座

• 使用工况：半导体真空等离子腔体

选型确认项目

该陶瓷加热器没有固定通用型号，全部按项目定制，选型时确认以下参数：

1. 晶圆尺寸（200/300/450mm）

2. 氮化铝基材等级

3. 是否需要内置 RF 静电吸附电极

4. 使用最高温度、加热功率

5. 端子结构、陶瓷轴安装方式、背氦气孔排布

典型应用场景

• CVD、PVD 薄膜沉积设备晶圆加热基座

• 等离子刻蚀腔体晶圆温控承载平台

• ALD 原子层沉积真空腔加热工位

• 需要同时实现加热 + 静电吸附的一体化晶圆承载工位