简要描述：NGK日本碍子半导体静电吸盘ESC静电卡盘日本 NGK（NGK INSULATORS，日本碍子）陶瓷静电吸盘 ESC，半导体真空腔室内用于硅晶圆静电固定的核心陶瓷部件。

产品概述

依托 NGK 陶瓷体积电阻率调控技术，在真空等离子环境依靠静电力牢牢吸附硅晶圆；可实现晶圆固定、背氦散热、高精度控温，适配刻蚀、CVD、PVD 等半导体工艺腔室。静电吸盘为定制化产品，无标准现货，依据设备晶圆尺寸、温度工况、电极规格进行生产。
NGK日本碍子半导体静电吸盘ESC静电卡盘NGK日本碍子半导体静电吸盘ESC静电卡盘

核心产品特点

1. 宽温度工况适配依托自研体积电阻率控制技术，工作温度区间‑50℃～700℃；陶瓷基材强度高、导热性能优异，耐热冲击性能好，低温、中高温工艺均可使用。

2. 优异等离子耐蚀性能氮化铝 AlN、氧化铝 Al₂O₃高纯陶瓷基材，对卤素等离子腐蚀气体具备良好耐腐蚀性；经过专用表面处理 + 高纯清洗处理，降低颗粒产生，减少晶圆颗粒污染风险；陶瓷纯度最高可达 99.9% 以上。

3. 功能可集成化设计

• 内置埋入加热层版本：集成陶瓷加热功能，晶圆控温精度可达 ±1% 以内；

• 冷却基板结合版本：搭配水冷基板实现高效冷却散热；

• Bulk RF 电极方案：同一电极同时完成晶圆吸附以及 RF 等离子发生，简化腔室内部结构NGK INSULA...。

4. 两种吸附原理可选氮化铝 AlN 基材采用 JR（Johnsen‑Rahbek）拉贝克吸附；氧化铝 Al₂O₃基材采用库仑 Coulomb 吸附；电极形式支持单极、双极选型，适配不同设备电路方案背氦冷却气路结构盘面分布细小气孔，通入 He 背吹气体，提升晶圆背面热传导，保证整面晶圆温度均匀性。

基础技术参数

• 适配晶圆尺寸：200mm（8 英寸）、300mm（12 英寸）、450mm 晶圆规格

• 基材材质：氮化铝 AlN（HA‑12 / HA‑37‑38 / HA‑50‑51）、氧化铝 Al₂O₃

• 吸附方式：JR 型（AlN） / 库仑型（Al₂O₃）

• 电极类型：单极、双极

• 使用温度范围：‑50℃ ~700℃

• 可选集成功能：内置加热、水冷冷却基板、Bulk‑RF 电极

• 使用环境：半导体真空等离子工艺腔室

选型要点

NGK 静电吸盘没有统一固定成品型号，按需求定制；选型确认项目：

1. 晶圆尺寸（200/300/450mm）

2. 基材材质（AlN 氮化铝 / Al₂O₃氧化铝，AlN 还需确认材料等级 HA‑12 / HA‑37 / HA‑50）

3. 电极形式：单极或双极

4. 是否集成内置加热层、水冷基板、Bulk‑RF 电极

5. 目标工作温度区间、背氦气孔布局规格

典型应用场景

‑ 半导体等离子刻蚀工艺腔体晶圆固定‑ CVD、PVD、ALD 薄膜沉积设备‑ 离子注入机真空腔室‑ 各类半导体真空制程，晶圆控温吸附工位