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产品型号
91-5635-1150-75 -
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2026-10-10 -
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产品描述
SIMCO思美高 AeroBar 5635MP 静电中和棒采用调制脉冲（MP）技术的超净型离子棒，专为半导体制造和其他超洁净制程设计，可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统，可实现I洁净度，满足小制程节点的关键需求
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91-5635-1150-75厂商性质
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SIMCO思美高 AeroBar 5635MP 静电中和棒采用调制脉冲（MP）技术的超净型离子棒，专为半导体制造和其他超洁净制程设计，可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统，可实现I洁净度，满足小制程节点的关键需求
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SIMCO思美高 AeroBar 5635MP 除静电棒 采用调制脉冲（MP）技术的超净型离子棒，专为半导体制造和其他超洁净制程设计，可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统，可实现I洁净度，满足小制程节点的关键需求
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91-5635-850-75厂商性质
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SIMCO思美高 AeroBar 5635MP 离子发生器采用调制脉冲（MP）技术的超净型离子棒，专为半导体制造和其他超洁净制程设计，可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统，可实现I洁净度，满足小制程节点的关键需求
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91-5635-600-50厂商性质
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SIMCO思美高5635MP 静电消除器离子棒采用调制脉冲（MP）技术的超净型离子棒，专为半导体制造和其他超洁净制程设计，可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统，可实现ISO 14644-12（0.01 µm或纳米颗粒） 和ISO 14644 Class 1（0.1 µm颗粒） 洁净度，满足小制程节点的关键需求
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5635-450-50厂商性质
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SIMCO思美高 5635离子棒 短棒高密度除静电5635 采用调制脉冲（MP）技术的超净型离子棒，专为半导体制造和其他超洁净制程设计，可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统，可实现ISO 14644-12（0.01 µm或纳米颗粒） 和ISO 14644 Class 1（0.1 µm颗粒） 洁净度
