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  • 91-5635M-1900-75SIMCO思美高AeroBar5635M超净离子发生器
    91-5635M-1900-75SIMCO思美高AeroBar5635M超净离子发生器

    产品型号

    91-5635M-1900-75

    厂商性质

    经销商

    更新时间

    2026-10-10

    浏览次数

    11

    产品描述

    SIMCO思美高AeroBar5635M超净离子发生器采用调制脉冲(MP)技术的超净型离子棒,专为半导体制造和其他超洁净制程设计,可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统,可实现ISO 14644-12 和ISO 14644 Class 1 洁净度,满足小制程节点的关键需求
  • 91-5635M-1750-75SIMCO思美高AeroBar5635M离子静电消除器
    91-5635M-1750-75SIMCO思美高AeroBar5635M离子静电消除器

    产品型号

    91-5635M-1750-75

    厂商性质

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    2026-10-10

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    产品描述

    SIMCO思美高AeroBar5635M离子静电消除器采用调制脉冲(MP)技术的超净型离子棒,专为半导体制造和其他超洁净制程设计,可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统,可实现ISO 14644-12 和ISO 14644 Class 1 洁净度,满足小制程节点的关键需求
  • 91-5635M-1600-75SIMCO思美高AeroBar 5635M光刻防护离子棒
    91-5635M-1600-75SIMCO思美高AeroBar 5635M光刻防护离子棒

    产品型号

    91-5635M-1600-75

    厂商性质

    经销商

    更新时间

    2026-10-10

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    产品描述

    SIMCO思美高AeroBar 5635M光刻防护离子棒采用调制脉冲(MP)技术的超净型离子棒,专为半导体制造和其他超洁净制程设计,可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统,可实现ISO 14644-12 和ISO 14644 Class 1 洁净度,满足小制程节点的关键需求
  • 91-5635M-1450-75SIMCO思美高AeroBar 5635M单晶硅离子棒
    91-5635M-1450-75SIMCO思美高AeroBar 5635M单晶硅离子棒

    产品型号

    91-5635M-1450-75

    厂商性质

    经销商

    更新时间

    2026-10-10

    浏览次数

    10

    产品描述

    SIMCO思美高AeroBar 5635M单晶硅离子棒采用调制脉冲(MP)技术的超净型离子棒,专为半导体制造和其他超洁净制程设计,可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统,可实现ISO 14644-12 和ISO 14644 Class 1 洁净度,满足小制程节点的关键需求
  • 91-5635M-1300-75SIMCO思美高AeroBar 5635M无金属MP离子棒
    91-5635M-1300-75SIMCO思美高AeroBar 5635M无金属MP离子棒

    产品型号

    91-5635M-1300-75

    厂商性质

    经销商

    更新时间

    2026-10-10

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    12

    产品描述

    SIMCO思美高AeroBar 5635M无金属MP离子棒采用调制脉冲(MP)技术的超净型离子棒,专为半导体制造和其他超洁净制程设计,可满足快速放电、低摆动电压和高精度离子平衡的严苛要求。该产品采用单晶硅发射器和精密调节系统,可实现ISO 14644-12 和ISO 14644 Class 1 洁净度,满足小制程节点的关键需求
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