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| 品牌 | SIMCO/思美高 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 半导体 |
产品定位
AeroBar 5635 MP定位于前端半导体制造中的晶圆处理环节，适用于对洁净度和静电控制要求极为严苛的超净环境。其核心技术突破在于：MP技术将高频正弦波与调制脉冲相结合，产生高输出量的离子并将其高效推送至目标表面，使离子棒能够安装在距晶圆仅150mm的位置。该产品兼容包括22nm及以下的所有晶圆技术节点，适用于小几何尺寸半导体制程的静电控制。
SIMCO思美高 AeroBar 5635MP 离子发生器SIMCO思美高 AeroBar 5635MP 离子发生器
MP（Modulated Pulse）技术是AeroBar 5635 MP的核心。该技术将高频正弦波与调制脉冲相结合，产生高密度正负离子，实现快速静电消除和高效离子输送。MP技术的关键优势在于：
低电位摆动：在无气动辅助条件下，可在15秒内将±1000V电压降至±100V，24英寸处摆动电压仅80Vp-p，确保对敏感晶圆的安全除电
高精度离子平衡：自动平衡系统可将整根棒体的离子平衡控制在 <±20V（24英寸距离、受控环境）
宽范围可调：输出电压、脉冲频率、正负平衡均可通过DIP开关或软件精细调节，以适应不同环境和产品敏感度要求
超净洁净度：采用单晶硅发射器，满足ISO 14644-12（0.01 µm颗粒）和ISO 14644-1 Class 1（0.1 µm颗粒）洁净度要求，适用于先进制程节点
近距离安装：低电场电压设计，可安全安装在距晶圆或光罩150mm的位置
横向均匀度：整根棒体离子平衡一致，确保大面积除电均匀性
快速维护：发射器喷嘴支持四分之一转快速拆卸，减少停机时间
气动辅助可选：在洁净要求相对宽松的环境中，可选配气动辅助加速离子输送，实现更快消散时间和更远工作距离
警报输出：支持警报输出信号，可连接设备或远程监控系统
金属无暴露版本：提供5635M型号，采用零金属部件设计，适用于不允许金属表面暴露的环境
AeroBar 5635系列提供标准版（5635） 和无金属版（5635M） 两种选择，并可根据棒体长度和气嘴间距进行配置。
| 型号 | 棒体长度（mm） | 气嘴间距（mm） | 核心特点 |
|---|---|---|---|
| 5635-450-50 | 450 | 50 | 标准版，短棒高密度覆盖 |
| 5635-600-50 | 600 | 50 | 标准版，中棒高密度覆盖 |
| 5635-850-75 | 850 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-1000-75 | 1000 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-1150-75 | 1150 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-1300-75 | 1300 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-1450-75 | 1450 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-1600-75 | 1600 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-1750-75 | 1750 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-1900-75 | 1900 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-2050-75 | 2050 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-2200-75 | 2200 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635-2350-75 | 2350 | 75 | 标准版，长棒标准覆盖 |
| 5635M-350-50 | 350 | 50 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-450-50 | 450 | 50 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-600-50 | 600 | 50 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-850-75 | 850 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-1000-75 | 1000 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-1150-75 | 1150 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-1300-75 | 1300 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-1450-75 | 1450 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-1600-75 | 1600 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-1750-75 | 1750 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-1900-75 | 1900 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-2050-75 | 2050 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-2200-75 | 2200 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
| 5635M-2350-75 | 2350 | 75 | 无金属版，零金属暴露 |
型号编码说明：棒体长度≤600mm的型号采用50mm气嘴间距，≥850mm的型号采用75mm气嘴间距。5635M（无金属版）提供350mm长度选项，标准版5635无此长度。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 输入电压 | 24 VDC ±10%（RJ-45接口，最大0.7A） |
| 输出电压 | 13.5 kV p-p（最大），可调 |
| 工作距离 | 150～1000 mm（视应用和规格） |
| 消散时间 | 15秒（典型，无气动辅助，±1000V→±100V） |
| 离子平衡 | <±20V（24英寸距离，受控环境，整根棒体） |
| 电位摆动 | 80 Vp-p（24英寸，发射器中心点组下方） |
| 离子发射方式 | 调制脉冲（MP）技术 |
| 发射器 | 单晶硅，可更换 |
| 气嘴间距 | 50mm（≤600mm棒长）/ 75mm（≥850mm棒长） |
| 脉冲频率 | 默认5Hz，可调范围1～33Hz |
| 供气要求 | 洁净干燥空气（CDA）或氮气，最大45 psi |
| 臭氧产生量 | <0.05 ppm |
| EMI水平 | 低于背景水平 |
| 工作环境 | 温度15-35℃，湿度30-60% RH（无结露） |
| 外壳材质 | ABS树脂，不锈钢回馈条 |
| 尺寸 | 78H × 34W × 350～2350L mm |
| 认证 | RoHS |
| 行业 | 具体场景 |
|---|---|
| 半导体前道制造 | 晶圆处理过程中的静电消除与颗粒污染控制 |
| 光刻工艺 | 光罩、晶圆在光刻工序中的静电防护 |
| 薄膜沉积 | CVD/PVD工艺中的晶圆静电控制 |
| 蚀刻工艺 | 蚀刻腔室进出料环节的静电消除 |
| 先进封装 | 3D封装、晶圆级封装等先进制程的静电防护 |
| 超净环境 | ISO 14644-12/Class 1洁净室中的静电与颗粒控制 |
| 需求场景 | 推荐型号 |
|---|---|
| 标准超净环境，常规静电消除 | 5635系列 |
| 不允许金属暴露的环境 | 5635M系列（无金属版） |
| 短距离高密度覆盖 | 450mm/600mm（50mm间距） |
| 长距离标准覆盖 | 850mm及以上（75mm间距） |
| 需要气动辅助加速离子输送 | 选配气动辅助功能 |
| 需要远程监控和参数调节 | 选配MP 5635 Bar Control软件 |
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