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| 品牌 | SIMCO/思美高 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 半导体 |
SIMCO-ION思美高AeroBar® 5645LP是5645系列离子棒的低矮型（Low Profile）版本，专为空间受限的超洁净应用而设计。它在保留5645全部核心电离性能的同时，将整体高度从标准型的3.1英寸（78mm）降低至2.6英寸（65.3mm），使离子棒能够安装进标准型无法进入的紧凑工位。
5645LP面向半导体后道先进封装与测试以及前道超洁净制程，采用调制脉冲（MP）技术配合Novx反馈控制系统，可实现优于±5V的离子平衡，满足ISO 14644-1 Class 1及Extended ISO Class 1（10nm颗粒）洁净度要求。其低矮外形特别适合晶圆探针台、引线键合机、贴片机等设备内部空间紧张的工位。
SIMCO思美高AeroBar 5645LP键合机离子棒SIMCO思美高AeroBar 5645LP键合机离子棒
调制脉冲（MP）技术结合了高频正弦波与调制脉冲，产生高密度正负离子，实现快速静电消除。该技术允许离子棒安装在距晶圆仅150mm的极近距离。
Novx反馈控制系统是5645LP实现±5V精密平衡的关键。配合Novx System或Novx Inside版本，离子棒可实时监测并自动校正离子平衡，满足半导体行业对超低电压摆幅的严苛要求。
低矮型设计将离子棒高度压缩至2.6英寸（65.3mm），仅提供单晶硅（SCSi）发射器配置，适用于对安装空间有严格限制的设备内部。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | AeroBar® 5645LP |
| 输入电压 | 24 VDC ±10%，0.7A（max） |
| 输出电压 | 13.5 kV peak-to-peak（max） |
| 消散时间 | 15秒（典型，无气动辅助，距中心24英寸处测量） |
| 离子平衡 | Novx版：<±5V；独立版：<±20V |
| 电离方式 | 调制脉冲（MP）技术 |
| 发射器材质 | 仅单晶硅（SCSi） |
| 洁净室等级 | ISO 14644-1 Class 1 & Extended ISO Class 1 |
| 脉冲频率 | 低频0.3-1.5 Hz；高频1-33 Hz |
| 气源要求 | CDA或N₂，45 psi max，1-3.5 L/min/喷嘴 |
| 臭氧产生量 | <0.05 ppm |
| 高度 | 2.6英寸（65.3mm） |
| 宽度 | 1.3英寸（33mm） |
| 长度 | 350～2350mm，共14种 |
| 认证 | CE、RoHS |
参数来源：
AeroBar 5645LP的型号编码规则与标准型5645一致，由版本代号 + 棒体长度 + 气嘴间距 + 连接器代码构成。由于LP版本仅提供单晶硅（SCSi）发射器，连接器代码以SCSi对应代码为准。
14种标准长度：
| 序号 | 长度（mm） | 气嘴间距（mm） | 序号 | 长度（mm） | 气嘴间距（mm） |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 350 | 50 | 8 | 1450 | 75 |
| 2 | 450 | 50 | 9 | 1600 | 75 |
| 3 | 600 | 50 | 10 | 1750 | 75 |
| 4 | 850 | 75 | 11 | 1900 | 75 |
| 5 | 1000 | 75 | 12 | 2050 | 75 |
| 6 | 1150 | 75 | 13 | 2200 | 75 |
| 7 | 1300 | 75 | 14 | 2350 | 75 |
版本与连接器代码对应关系（LP版本，SCSi发射器）：
| 版本 | 连接器代码 | 完整型号示例（1000mm） |
|---|---|---|
| Standalone 独立版 | 00U38 | 91-5645LP-1000-75-00U38 |
| Novx Inside 内置版 | 00U38B | 91-5645LPA-1000-75-00U38B |
| Novx System 外置版 | 00U30 | 91-5645LPN-1000-75-00U30 |
说明：LP版本的产品代码通常以
91-5645LP开头，后续版本代号（A/N）与标准型一致。实际订购时建议向代理商确认LP专用代码前缀。
国内半导体封装与电子制造项目中，5645LP的常用配置集中在850mm至1900mm长度区间，以Novx Inside版本（<±5V平衡）为主：
| 常用长度 | 适配场景 | Novx Inside 完整型号 |
|---|---|---|
| 850 mm | 中型晶圆传输工位 | 91-5645LPA-850-75-00U38B |
| 1000 mm | 标准探针台、封装设备 | 91-5645LPA-1000-75-00U38B |
| 1150 mm | 引线键合机、贴片机 | 91-5645LPA-1150-75-00U38B |
| 1300 mm | 先进封装线体 | 91-5645LPA-1300-75-00U38B |
| 1450 mm | 晶圆级封装设备 | 91-5645LPA-1450-75-00U38B |
| 1600 mm | 宽幅传送带、多工位覆盖 | 91-5645LPA-1600-75-00U38B |
| 1900 mm | 大面积覆盖、高世代产线 | 91-5645LPA-1900-75-00U38B |
| 对比项 | AeroBar 5645（标准型） | AeroBar 5645LP（低矮型） |
|---|---|---|
| 高度 | 3.1英寸（78mm） | 2.6英寸（65.3mm） |
| 发射器材质 | 单晶硅（SCSi）/ 钛金属（Ti） | 仅单晶硅（SCSi） |
| 洁净度 | SCSi：Class 1 & Extended Class 1；Ti：Class 3 | Class 1 & Extended Class 1 |
| 适用场景 | 标准空间工位、大面积覆盖 | 空间受限的设备内部 |
| 核心性能 | MP技术、±5V平衡、15秒消散 | 一致 |
LP版本与标准型共享相同的MP技术、Novx反馈控制和15秒消散性能，核心电离能力没有妥协。LP版本的差异化价值在于更低的高度轮廓，使其能够进入标准型无法安装的紧凑空间。
| 行业 | 具体场景 |
|---|---|
| 半导体后道封装 | 晶圆探针（Wafer Probe）、背面研磨（Back Grinding）、晶圆贴装（Wafer Mount）、晶圆级贴片（Die Bonding）、引线键合（Wire Bonding）、切筋成型（Trim & Form）、切割（Dicing）、测试（Testing）、凸点（Bumping） |
| 半导体前道 | 前道超洁净制程中空间受限的静电控制工位 |
| 先进封装 | 3D封装等空间紧凑的先进制程设备内部 |
| 通用电子组装 | 对静电敏感且安装空间受限的电子组装工位 |
参数来源：
安装距离：MP技术允许离子棒安装在距晶圆仅150mm处，满足小制程节点的近距控制需求。
气源要求：使用CDA或N₂，供气压力最大45 psi，每喷嘴流量1-3.5 L/min。
版本选择：对平衡要求严苛的半导体工位优先选用Novx Inside版本；一般电子组装可选用Standalone版本以降低成本。
接地要求：所有安装夹和支架必须连接至低阻抗接地。
维护周期：仅需定期清洁外壳和发射器，清洁后无需重新调整离子器。
安全警告：通电时严禁清洁发射器，清洁前务必断开电源。
控制系统：通过MP Control软件集中管理，传感器输入、FMS连接、报警、电源和通信均位于离子棒同一端，便于接线和维护。
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