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当前位置:首页  /  产品中心  /  除静电类  /  离子棒  /  91-5645-1900-75-00U38SIMCO思美高AeroBar5645大面积覆盖离子棒

SIMCO思美高AeroBar5645大面积覆盖离子棒

简要描述:SIMCO思美高AeroBar5645大面积覆盖离子棒低剖面喷嘴可提升性能,并将电离棒整体高度降低至 2.6 英寸(65.3 毫米),适用于空间受限的安装环境。5645 型 MP 电离棒可为半导体后端先进封装和测试环境以及需要快速放电时间、低摆幅电压和精确平衡的前端超洁净应用提供业界的平衡电离性能。

基础信息

产品型号

91-5645-1900-75-00U38

厂商性质

经销商

更新时间

2026-09-22

浏览次数

48
详细介绍
品牌SIMCO/思美高价格区间面议
应用领域半导体

产品定位

SIMCO-ION思美高AeroBar® 5645是一款采用调制脉冲(Modulated Pulse, MP)技术的离子棒,专为半导体后道先进封装与测试以及前道超洁净制程设计。该产品采用单晶硅或钛金属发射器,配合Novx反馈控制系统可实现优于±5V的离子平衡,满足ISO 14644-1 Class 1及Extended ISO Class 1(10nm颗粒)洁净度要求。其MP技术允许离子棒安装在距晶圆仅150mm的位置,是先进制程中的静电消除设备。
SIMCO思美高AeroBar5645大面积覆盖离子棒SIMCO思美高AeroBar5645大面积覆盖离子棒

核心技术:MP调制脉冲 + Novx反馈控制

调制脉冲(MP)技术结合了高频正弦波与调制脉冲,产生高密度正负离子,实现快速静电消除。AeroBar 5645的MP技术可使离子棒安装在距晶圆150mm的极近距离,满足小制程节点对近距控制的要求。

Novx反馈控制系统是5645的核心差异化功能。独立使用时平衡可达±20V或更好,配合Novx System或Novx Inside版本时,平衡可控制在优于±5V,满足半导体行业对超低电压摆幅的严苛要求。此外,离子棒可轻松调整电压、频率和平衡,以适应不同环境敏感度和产品规格需求。

技术规格

项目参数
型号AeroBar® 5645
输入电压24 VDC ±10%,0.7A(max)
输出电压13.5 kV peak-to-peak(max)
消散时间15秒(典型,无气动辅助,距中心24英寸处测量)
离子平衡独立版:<±20V;Novx版:<±5V
电离方式调制脉冲(MP)技术
发射器材质单晶硅(SCSi)/ 钛金属(Ti)
洁净室等级单晶硅:ISO 14644-1 Class 1 & Extended ISO Class 1;钛金属:ISO 14644-1 Class 3
脉冲频率低频0.3-1.5 Hz;高频1-33 Hz
气源要求清洁干燥空气(CDA)或氮气(N₂),45 psi max,1-3.5 L/min/喷嘴
臭氧产生量<0.05 ppm
尺寸(标准型)3.1"H × 1.3"W × 350~2350mm(14种长度)
尺寸(低矮型LP)2.6"H × 1.3"W × 350~2350mm(14种长度)
认证CE、RoHS

参数来源:

型号与配置

离子棒长度(14种可选):

AeroBar 5645提供从350mm到2350mm共14种标准长度,完整长度列表如下:

序号长度(mm)序号长度(mm)
135081450
245091600
3600101750
4850111900
51000122050
61150132200
71300142350

参数来源:

产品版本:

版本高度发射器材质洁净度平衡性能
5645 标准型3.1"(78mm)单晶硅 / 钛金属ISO Class 1(SCSi)/ Class 3(Ti)<±20V独立版 / <±5V Novx版
5645LP 低矮型2.6"(65.3mm)单晶硅(SCSi)ISO Class 1 & Extended ISO Class 1<±5V Novx版

参数来源:

配套系统:

型号说明
Novx System外置式监测与反馈控制系统,实现±5V平衡
Novx Inside内置式监测与反馈控制系统,实现±5V平衡
MP Control Software集中电源与控制软件,支持电压、频率、平衡调节

发射器喷嘴间距:

  • 450mm和600mm长度:50mm间距

  • 其他长度:75mm间距

参数来源:

应用场景

行业具体场景
半导体后道封装晶圆探针(Wafer Probe)、背面研磨(Back Grinding)、晶圆贴装(Wafer Mount)、晶圆级贴片(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)、切筋成型(Trim & Form)、切割(Dicing)、测试(Testing)、凸点(Bumping)
半导体前道前道超洁净制程中的静电放电和颗粒污染控制
先进封装3D封装等节点,要求快速消散、低电压摆幅和精确平衡的工艺
通用电子组装对静电敏感的电子组装工位

参数来源:

安装与使用要点

  1. 安装距离:得益于MP技术,离子棒可安装在距晶圆仅150mm的位置,满足小制程节点的近距控制需求。

  2. 气源要求:使用清洁干燥空气(CDA)或氮气(N₂),供气压力最大45 psi,每喷嘴流量1-3.5 L/min。在弱层流环境下,可选配气动辅助以加速离子输送。

  3. 接地要求:所有安装夹和支架必须连接至低阻抗接地。

  4. 维护周期:仅需定期清洁外壳和发射器,清洁后无需重新调整离子器。

  5. 安全警告:通电时严禁清洁发射器,清洁前务必断开电源。

  6. 控制系统:通过MP Control软件集中管理电源和控制,传感器输入、FMS连接、报警、电源和通信均位于离子棒同一端,便于接线和维护。

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