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| 品牌 | SIMCO/思美高 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 半导体 |
SIMCO-ION思美高AeroBar® 5645是一款采用调制脉冲(Modulated Pulse, MP)技术的离子棒,专为半导体后道先进封装与测试以及前道超洁净制程设计。该产品采用单晶硅或钛金属发射器,配合Novx反馈控制系统可实现优于±5V的离子平衡,满足ISO 14644-1 Class 1及Extended ISO Class 1(10nm颗粒)洁净度要求。其MP技术允许离子棒安装在距晶圆仅150mm的位置,是先进制程中的静电消除设备。
SIMCO思美高AeroBar5645离子棒半导体贴片机SIMCO思美高AeroBar5645离子棒半导体贴片机
调制脉冲(MP)技术结合了高频正弦波与调制脉冲,产生高密度正负离子,实现快速静电消除。AeroBar 5645的MP技术可使离子棒安装在距晶圆150mm的极近距离,满足小制程节点对近距控制的要求。
Novx反馈控制系统是5645的核心差异化功能。独立使用时平衡可达±20V或更好,配合Novx System或Novx Inside版本时,平衡可控制在优于±5V,满足半导体行业对超低电压摆幅的严苛要求。此外,离子棒可轻松调整电压、频率和平衡,以适应不同环境敏感度和产品规格需求。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | AeroBar® 5645 |
| 输入电压 | 24 VDC ±10%,0.7A(max) |
| 输出电压 | 13.5 kV peak-to-peak(max) |
| 消散时间 | 15秒(典型,无气动辅助,距中心24英寸处测量) |
| 离子平衡 | 独立版:<±20V;Novx版:<±5V |
| 电离方式 | 调制脉冲(MP)技术 |
| 发射器材质 | 单晶硅(SCSi)/ 钛金属(Ti) |
| 洁净室等级 | 单晶硅:ISO 14644-1 Class 1 & Extended ISO Class 1;钛金属:ISO 14644-1 Class 3 |
| 脉冲频率 | 低频0.3-1.5 Hz;高频1-33 Hz |
| 气源要求 | 清洁干燥空气(CDA)或氮气(N₂),45 psi max,1-3.5 L/min/喷嘴 |
| 臭氧产生量 | <0.05 ppm |
| 尺寸(标准型) | 3.1"H × 1.3"W × 350~2350mm(14种长度) |
| 尺寸(低矮型LP) | 2.6"H × 1.3"W × 350~2350mm(14种长度) |
| 认证 | CE、RoHS |
参数来源:
离子棒长度(14种可选):
AeroBar 5645提供从350mm到2350mm共14种标准长度,完整长度列表如下:
| 序号 | 长度(mm) | 序号 | 长度(mm) |
|---|---|---|---|
| 1 | 350 | 8 | 1450 |
| 2 | 450 | 9 | 1600 |
| 3 | 600 | 10 | 1750 |
| 4 | 850 | 11 | 1900 |
| 5 | 1000 | 12 | 2050 |
| 6 | 1150 | 13 | 2200 |
| 7 | 1300 | 14 | 2350 |
参数来源:
产品版本:
| 版本 | 高度 | 发射器材质 | 洁净度 | 平衡性能 |
|---|---|---|---|---|
| 5645 标准型 | 3.1"(78mm) | 单晶硅 / 钛金属 | ISO Class 1(SCSi)/ Class 3(Ti) | <±20V独立版 / <±5V Novx版 |
| 5645LP 低矮型 | 2.6"(65.3mm) | 单晶硅(SCSi) | ISO Class 1 & Extended ISO Class 1 | <±5V Novx版 |
参数来源:
配套系统:
| 型号 | 说明 |
|---|---|
| Novx System | 外置式监测与反馈控制系统,实现±5V平衡 |
| Novx Inside | 内置式监测与反馈控制系统,实现±5V平衡 |
| MP Control Software | 集中电源与控制软件,支持电压、频率、平衡调节 |
发射器喷嘴间距:
450mm和600mm长度:50mm间距
其他长度:75mm间距
参数来源:
| 行业 | 具体场景 |
|---|---|
| 半导体后道封装 | 晶圆探针(Wafer Probe)、背面研磨(Back Grinding)、晶圆贴装(Wafer Mount)、晶圆级贴片(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)、切筋成型(Trim & Form)、切割(Dicing)、测试(Testing)、凸点(Bumping) |
| 半导体前道 | 前道超洁净制程中的静电放电和颗粒污染控制 |
| 先进封装 | 3D封装等节点,要求快速消散、低电压摆幅和精确平衡的工艺 |
| 通用电子组装 | 对静电敏感的电子组装工位 |
参数来源:
安装距离:得益于MP技术,离子棒可安装在距晶圆仅150mm的位置,满足小制程节点的近距控制需求。
气源要求:使用清洁干燥空气(CDA)或氮气(N₂),供气压力最大45 psi,每喷嘴流量1-3.5 L/min。在弱层流环境下,可选配气动辅助以加速离子输送。
接地要求:所有安装夹和支架必须连接至低阻抗接地。
维护周期:仅需定期清洁外壳和发射器,清洁后无需重新调整离子器。
安全警告:通电时严禁清洁发射器,清洁前务必断开电源。
控制系统:通过MP Control软件集中管理电源和控制,传感器输入、FMS连接、报警、电源和通信均位于离子棒同一端,便于接线和维护。