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| 品牌 | HORIBA/堀场 | 价格区间 | 1万-3万 |
|---|---|---|---|
| 产品种类 | 质量式 | 介质分类 | 气体 |
| 产地类别 | 进口 | 应用领域 | 半导体,机械设备 |
SEC‑N100 系列为数字热式质量流量控制器，SEF‑N100 为不带内置控制阀的流量测量机型。搭载 MR‑MG 多气体多量程功能，无需拆卸管路，通过软件即可切换气体种类与满量程规格，减少备件种类。搭载可变 PID 调节系统，全量程切换响应≤1s，多项式线性补偿保障高低流量段测量精度。流路分为金属密封、橡胶密封两种结构可选，全金属流路 SUS316L 电解超净抛光，微粒析出低。多类型工业总线通讯可选，适配半导体、光伏、镀膜设备新建与存量产线改造场景。
MR‑MG 多气体多量程功能，不拆管路即可切换气体参数与满量程，降低备件库存，缩短工艺换型调试工时。
流量覆盖范围广，氮气当量 10SCCM‑1000SLM，微量至超大流量工况均可适配。
可变 PID 控制系统，随气体、流量自动优化调节参数，全阶响应≤1s，流量切换收敛速度快。
多项式线性补偿，＞30% FS 精度 ±1.0% S.P；≤30% FS 精度 ±0.3% FS，全量程数据输出稳定。
压电陶瓷常闭阀，动作响应迅速，关断泄漏指标优异；可选用金属密封、橡胶密封结构适配不同气体介质。
多协议通讯兼容，模拟电压电流、RS‑485、DeviceNet、CC‑Link、PROFIBUS、EtherCAT 可选，适配老设备改造与新设备集成。
流路电解超净抛光，氦检漏性能优异，微粒释放低，适配高纯、部分腐蚀性半导体工艺气体。
内置运行数据存储，记录阀门动作计数、压力温度极值、累计流量，方便设备寿命评估与异常追溯。
微流量机型，MR‑MG 档位对应氮气当量 10‑500SCCM，适配 ALD、离子注入、微量载气控制。
中小流量通用机型，500SCCM‑10SLM，刻蚀、薄膜沉积工艺主流选用。
中流量机型，3‑30SLM，工艺配比、中等腔体气路控制。
中大流量机型，10‑100SLM，腔体吹扫、中大流量载气供给。
大流量机型，100‑200SLM，大腔体、大流量工艺气控制。
超大流量机型，200‑1000SLM，超大腔体吹扫、高流量载气供给。
SEF‑N112MGM/SEF‑N122MGM/SEF‑N132MGM/SEF‑N142MGM/SEF‑N152MGM/SEF‑N162MGM 为对应无阀流量计版本，仅做流量采集，流量调节需要外接阀门。流量依靠 MR‑MG 档位区分满量程规格；M 代表金属密封，R 代表橡胶密封。
测量原理：热式毛细管传感控制区间：2‑100% FS（SEC 控制器）；SEF 测量区间 0‑100% FS接液材质：SUS316L EP 电解抛光，金属密封 / 橡胶密封可选阀结构：压电常闭阀（SEC 系列；SEF 无内置控制阀）通讯接口：模拟 0‑5V、4‑20mA、RS‑485、DeviceNet、CC‑Link、PROFIBUS、EtherCAT 可选供电：24VDC耐压：1000kPa (G)全阶响应时间：≤1s精度：±1.0% S.P（＞30% FS）；±0.3% FS（≤30% FS）重复性：≤±0.2% FS工作环境：5‑50℃，推荐 15‑45℃，20‑80% RH 无凝露存储温度：0‑80℃状态记录：阀门动作计数、压力温度极值、超长、总运行时长、累计流量
半导体干法刻蚀、CVD 薄膜沉积、ALD 原子层沉积、腔体吹扫；第三代半导体；MEMS 器件制造；光伏设备；光学镀膜；特种气体实验平台；存量产线流量点位替换改造
HORIBA堀场SEC‑N100气体数字质量流量计HORIBA堀场SEC‑N100气体数字质量流量计
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