分体式真空用氧化锆氧探头，探头不可单独使用，需配套控制器 C‑28CVE、C‑48VE、C‑201W；2 款核心型号：TB‑ⅡV、TB‑ⅡVN，法兰可选 VF25、NW40、ICF70 规格。型号差异：TB‑ⅡV 普通过滤结构，支持原位通气校准；TB‑ⅡVN 网状多孔过滤器，气体交换速度更快，响应更快，需拆卸离线校准。

产品简介

TB‑ⅡV、TB‑ⅡVN 为真空‑常压两用扩散式氧化锆氧传感器，适配真空炉、密闭腔体，无需取样泵，可直接插入真空容器内部测量。测量覆盖高真空氧分压至 100% O₂，兼顾超高真空微量氧与常压氧浓度检测，解决真空腔体难以取样检测的痛点。真空法兰直插安装，传感器探头布置真空腔体，控制器安装常温控制柜区域，广泛用于真空热处理、真空钎焊、半导体真空工艺腔体气氛监测，整机质保 2 年（密封圈、过滤器耗材除外）。

产品特点

氧化锆陶瓷检测元件，支持 2atm 正压至高真空 1×10⁻³Pa（1×10⁻⁵Torr）宽压力区间测量，真空、常压工况通用Avidity。
TB‑ⅡV 自带标准气体校准接口，可在线原位通入标气完成校准；TB‑ⅡVN 网状滤网，气体交换速率高，动态工况响应速度更优，需拆下离线校准。
超宽测量区间，1ppm‑100% O₂，同时可测极低氧分压 1×10⁻³⁰atm O₂，ppm 与 % 单位切换显示Avidity。
真空法兰安装，VF25/NW40/ICF70 多种真空法兰可选，适配半导体、热处理各类真空腔体接口。
扩散式采样，不需要抽取样气，不用配置复杂取样管路，避免真空系统泄漏风险。
配套控制器提供 4‑20mA DC 模拟输出、继电器报警输出，C‑48VE 支持 Modbus 通讯，对接 PLC 中控系统；可配 3‑10m 延长屏蔽线缆远距离安装。
样气入口最高耐受 300℃；结构简单，拆装维护便捷。

基础参数汇总

表格

项目	TB‑ⅡV	TB‑ⅡVN
测量原理	氧化锆陶瓷浓差电池法	氧化锆陶瓷浓差电池法
测量范围	1ppm‑100%O₂；1‑1×10⁻³⁰atm O₂	1ppm‑100%O₂；1‑1×10⁻³⁰atm O₂
线性重复性	±1% FS 以内（0‑25% O₂）	±1% FS 以内（0‑25% O₂）
响应时间	≤10s（90% 响应，高浓度侧）	≤10s（90% 响应，高浓度侧）响应更快
漂移	≤±2% FS / 周以内	≤±2% FS / 周以内
采样方式	扩散式	扩散式
样品压力	2atm ~1×10⁻³Pa	2atm ~1×10⁻³Pa
样品温度	最高 300℃（传感器入口）	最高 300℃（传感器入口）
法兰规格	VF25、NW40、ICF70 可选	VF25、NW40、ICF70 可选
校准方式	自带标气接口，可原位在线校准	需拆卸离线校准
配套控制器	C‑28CVE、C‑48VE、C‑201W	C‑28CVE、C‑48VE、C‑201W
预热时间	约 20min	约 20min
质保	2 年（耗材除外）	2 年（耗材除外）