关于库仑计的技术文章
更新时间：2026-08-13
浏览次数：56
关于库仑计
电子设备（如 LSI）的 ESD（静电放电）失效模型大致可分为以下三种类型。
HBM（人体静电模型）：因人体静电放电而受损。
MM（机器型号）：因机器机架等处的静电放电而损坏。
CDM（设备充电模型）：设备本身因静电放电到地线等原因而带电并损坏。
其中，热基微电磁（HBM）的防护措施包括静电地板、静电鞋和防静电腕带；而金属微电磁（MM）的防护措施则包括对生产设备和工作区域周围的金属物体进行接地。目前，静电放电（ESD）损伤的主要模型被认为是电荷驱动放电（CDM）。对于大规模集成电路（LSI）而言，CDM 是指内部导体带电后，由于封装表面带电、周围环境带电以及引脚直接带电等原因，与地接触时，内部导体的电荷会以高速、高峰值电流流出。虽然可以通过使用表面电位计测量电子器件表面的电荷电位来预防 CDM 引起的 ESD 损伤，但由于电子器件静电电阻的降低和封装尺寸的小型化，这种方法变得越来越困难。库仑计可以直接测量流经内部导体（例如引线和电路板）的放电电荷，从而立即判断电子设备是否会损坏。这种测量方法非常适合CDM模型。它还可以用于生产过程中金属物体的接地检查。
以下是针对不同制造场所的静电放电控制电压和击穿电荷的指导原则示例
半导体器件制造工艺（CMOS IC）：
设计规则 0.18μm：50V 或更低（破坏电荷：0.5-2.0nC）
设计规则 0.25μm：50V（破坏电荷：0.8-3nC）
设计规则 0.35μm：50V（破坏电荷：1-4nC）数码相机组装工艺（CCD）：
50-100V（破坏性电荷：2-4nC）光学拾取器制造工艺：
30-50V（破坏性电荷：1nC）光盘驱动器组装过程：
50-150V（破坏电荷：1nC）硬盘组装过程：
磁阻磁头：10V（破坏性电荷：0.2nC）
巨磁阻磁头：5V（破坏性电荷：0.2nC或更低）LCD制造工艺：
50-100V（Cell工艺：1000-1500V）
