简要描述：HORIBA堀场SEC‑N162MGM气体质量模块流量计搭载 MR‑MG 多气体多量程功能，软件端可切换气体种类与满量程规格，无需拆卸管路。压电常闭阀，可变 PID 调节，全量程响应≤1s，超大流量区间控制精度稳定。

产品简介

SEC‑N100 系列为数字热式质量流量控制器，SEF‑N100 为不带内置控制阀的流量测量机型。搭载 MR‑MG 多气体多量程功能，无需拆卸管路，软件端即可切换气体种类与满量程规格，减少备件种类。内置可变 PID 调节系统，全量程切换响应≤1s，搭配多项式线性补偿，高低流量段输出精度稳定。流路支持金属密封、橡胶密封两种结构可选，SUS316L 电解超净抛光处理，微粒释放低。多类型工业总线通讯可选，适配半导体、光伏、光学镀膜设备新建与存量产线改造场景。

产品特点

1. MR‑MG 多气体多量程功能，不拆管路即可切换气体参数与满量程，降低备件库存，缩短工艺换型调试工时。

2. 流量覆盖范围广，氮气当量 10SCCM‑1000SLM，微量至超大流量工况均可适配。

3. 可变 PID 控制系统，跟随气体、流量工况自动优化调节参数，全阶响应≤1s，流量切换收敛速度快。

4. 多项式线性补偿，＞30% FS 精度 ±1.0% S.P；≤30% FS 精度 ±0.3% FS，全量程数据输出稳定。

5. 压电陶瓷常闭阀，动作响应迅速，关断泄漏指标优异；金属密封、橡胶密封结构可选，适配不同腐蚀性、特种气体介质。

6. 多协议通讯兼容，模拟电压电流、RS‑485、DeviceNet、CC‑Link、PROFIBUS、EtherCAT 可选，适配老设备改造与新设备集成。

7. 流路电解超净抛光，氦检漏性能优异，微粒释放低，适配半导体超净气路。

8. 内置运行数据存储，记录阀门动作计数、压力温度极值、累计流量，方便设备寿命评估与异常追溯。

各基础机型区分

SEC‑N112MGM

微流量机型，MR‑MG 档位对应氮气当量 10‑500SCCM，适配 ALD、离子注入、微量载气控制。

SEC‑N122MGM

中小流量通用机型，500SCCM‑10SLM，刻蚀、薄膜沉积工艺主流选用。

SEC‑N132MGM

中流量机型，3‑30SLM，工艺配比、中等腔体气路控制。

SEC‑N142MGM

中大流量机型，10‑100SLM，腔体吹扫、中大流量载气供给。

SEC‑N152MGM

大流量机型，100‑200SLM，大腔体、大流量工艺气控制。

SEC‑N162MGM

超大流量机型，200‑1000SLM，超大腔体吹扫、高流量载气供给。

SEF‑N112MGM~SEF‑N162MGM 为对应无阀流量计版本，仅做流量采集，流量调节需要外接阀门；M 代表金属密封，R 代表橡胶密封；流量依靠 MR‑MG 档位区分满量程规格。

通用技术参数

测量原理：热式毛细管传感控制区间：2‑100% FS（SEC 控制器）；SEF 测量区间 0‑100% FS接液材质：SUS316L EP 电解抛光，金属密封 / 橡胶密封可选阀结构：压电常闭阀（SEC 系列；SEF 无内置控制阀）通讯接口：模拟 0‑5V、4‑20mA、RS‑485、DeviceNet、CC‑Link、PROFIBUS、EtherCAT 可选供电：24VDC耐压：1000kPa (G)全阶响应时间：≤1s精度：±1.0% S.P（＞30% FS）；±0.3% FS（≤30% FS）重复性：≤±0.2% FS工作环境：5‑50℃，推荐 15‑45℃，20‑80% RH 无凝露存储温度：0‑80℃状态记录：阀门动作计数、压力温度极值、超长、总运行时长、累计流量

应用场景

半导体干法刻蚀、CVD 薄膜沉积、ALD 原子层沉积、腔体吹扫；第三代半导体；MEMS 器件制造；光伏设备；光学镀膜；特种气体实验平台；存量产线流量点位替换改造。
HORIBA堀场SEC‑N162MGM气体质量模块流量计HORIBA堀场SEC‑N162MGM气体质量模块流量计

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