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| 品牌 | HORIBA/堀场 | 价格区间 | 1万-3万 |
|---|---|---|---|
| 产品种类 | 质量式 | 介质分类 | 气体 |
| 产地类别 | 进口 | 应用领域 | 半导体,机械设备 |
SEC‑N100 系列为数字热式质量流量控制器,SEF‑N100 为不带内置控制阀的流量测量机型。搭载 MR‑MG 多气体多量程功能,无需拆卸管路,软件端即可切换气体种类与满量程规格,减少备件种类。内置可变 PID 调节系统,全量程切换响应≤1s,搭配多项式线性补偿,高低流量段输出精度稳定。流路支持金属密封、橡胶密封两种结构可选,SUS316L 电解超净抛光处理,微粒释放低。多类型工业总线通讯可选,适配半导体、光伏、光学镀膜设备新建与存量产线改造场景。
MR‑MG 多气体多量程功能,不拆管路即可切换气体参数与满量程,降低备件库存,缩短工艺换型调试工时。
流量覆盖范围广,氮气当量 10SCCM‑1000SLM,微量至超大流量工况均可适配。
可变 PID 控制系统,跟随气体、流量工况自动优化调节参数,全阶响应≤1s,流量切换收敛速度快。
多项式线性补偿,>30% FS 精度 ±1.0% S.P;≤30% FS 精度 ±0.3% FS,全量程数据输出稳定。
压电陶瓷常闭阀,动作响应迅速,关断泄漏指标优异;金属密封、橡胶密封结构可选,适配不同腐蚀性、特种气体介质。
多协议通讯兼容,模拟电压电流、RS‑485、DeviceNet、CC‑Link、PROFIBUS、EtherCAT 可选,适配老设备改造与新设备集成。
流路电解超净抛光,氦检漏性能优异,微粒释放低,适配半导体超净气路。
内置运行数据存储,记录阀门动作计数、压力温度极值、累计流量,方便设备寿命评估与异常追溯。
微流量机型,MR‑MG 档位对应氮气当量 10‑500SCCM,适配 ALD、离子注入、微量载气控制。
中小流量通用机型,500SCCM‑10SLM,刻蚀、薄膜沉积工艺主流选用。
中流量机型,3‑30SLM,工艺配比、中等腔体气路控制。
中大流量机型,10‑100SLM,腔体吹扫、中大流量载气供给。
大流量机型,100‑200SLM,大腔体、大流量工艺气控制。
超大流量机型,200‑1000SLM,超大腔体吹扫、高流量载气供给。
SEF‑N112MGM~SEF‑N162MGM 为对应无阀流量计版本,仅做流量采集,流量调节需要外接阀门;M 代表金属密封,R 代表橡胶密封;流量依靠 MR‑MG 档位区分满量程规格。
测量原理:热式毛细管传感控制区间:2‑100% FS(SEC 控制器);SEF 测量区间 0‑100% FS接液材质:SUS316L EP 电解抛光,金属密封 / 橡胶密封可选阀结构:压电常闭阀(SEC 系列;SEF 无内置控制阀)通讯接口:模拟 0‑5V、4‑20mA、RS‑485、DeviceNet、CC‑Link、PROFIBUS、EtherCAT 可选供电:24VDC耐压:1000kPa (G)全阶响应时间:≤1s精度:±1.0% S.P(>30% FS);±0.3% FS(≤30% FS)重复性:≤±0.2% FS工作环境:5‑50℃,推荐 15‑45℃,20‑80% RH 无凝露存储温度:0‑80℃状态记录:阀门动作计数、压力温度极值、超长、总运行时长、累计流量
半导体干法刻蚀、CVD 薄膜沉积、ALD 原子层沉积、腔体吹扫;第三代半导体;MEMS 器件制造;光伏设备;光学镀膜;特种气体实验平台;存量产线流量点位替换改造。
HORIBA堀场SEC-N100 系列气体质量流量计HORIBA堀场SEC-N100 系列气体质量流量计