简要描述：HORIBA堀场SEC‑Z714SMG质量流量模块流量计EtherCAT 热式 MFC 微流量机型，内置 PI 压力补偿功能，可抵消供气压力波动带来的流量偏移。MG 多气体功能支持总线在线切换气体种类与满量程，无需拆回设备调整校准。压电阀驱动，响应时间 300‑1000ms 可调，控制下限可达 0.5% FS。机身自带显示窗口，现场可读取流量、压力、运行状态。

产品简介

SEC‑Z700S 系列为压力不敏感热式 MFC，内置压力传感采集，依靠 PI 补偿算法抵消上下游供气压力波动带来的流量偏移，可减少气盘调压零部件。搭载多气体、多量程在线切换功能，总线端直接修改气体类型与满量程，无需拆回校准。压电阀驱动，响应时间 300‑1000ms 可调，控制下限可达满量程 0.5% FS，宽动态性能优于 Z700X。机身自带显示窗口，现场读取流量、压力、温度工况。接液部件 SUS316L 电解超净抛光，小流量规格采用 PFA 阀座密封，阀座泄漏低。50SLM 以内机型安装尺寸统一，兼容存量设备替换与新建产线，主流通讯为 EtherCAT，也可支持 DeviceNet 协议。

产品特点

1. PI 内置压力补偿，供气压力波动条件下流量输出稳定，降低气路配件数量，简化气盘设计。

2. 升级热传感元件，控制区间拓宽至 0.5‑100% FS，兼顾微量工艺供气与大流量吹扫工况。

3. MG 多气体多量程功能，EtherCAT 总线在线切换气体、修改满量程，产线不用拆卸模块调整工艺，降低备件库存压力。

4. 压电阀闭环控制，响应时间 300‑1000ms 可调，标准 450ms；5‑100% FS 精度 ±1.0% SP，重复性≤±0.15% SP。

5. 本体自带显示窗口，现场直观查看流量、压力、温度、设备运行状态，方便维护排查。

6. 工作温度上限提升至 60℃，适配设备气箱内部温度偏高的安装环境。

7. Bin#01‑#06 规格配置 PFA 阀座，关断泄漏≤0.1% FS，适合对关断性能要求高的工艺。

8. 接液部件超净电解抛光，氦检漏等级高，微粒析出低，适配高纯、部分腐蚀性半导体工艺气体。

9. 内置运行数据记录，存储阀门动作计数、压力温度极值、累计流量，便于设备寿命管理与故障预判。

各基础机型区分

SEC‑Z714SMG

微小型流量，覆盖 30‑450SCCM 区间，适配 ALD、微量载气、离子注入微量供气。

SEC‑Z724SMG

中小流量主力通用机型，100SCCM‑3SLM，刻蚀、CVD 量产工艺通用。

SEC‑Z734SMG

中流量规格，3‑10SLM，薄膜沉积、多气体配比主流选用。

SEC‑Z744SMG

中大流量机型，10‑50SLM，腔体吹扫、大流量 CVD 工艺使用。

流量依靠 MR‑MG 档位 #01‑#08 划分量程；硬件流路一致，主要差异为满量程规格。

通用技术参数

测量原理：热式，内置 PI 压力补偿控制区间：0.5‑100% FS接液材质：SUS316L EP 电解抛光、钴镍合金；Bin#01‑#06 配 PFA 阀座阀结构：压电常闭阀通讯接口：EtherCAT 为主，可选 DeviceNet供电：24VDC耐压：1000kPa (G)；氦检漏≤5×10⁻¹²Pa・m³/s响应时间：300‑1000ms 可调，标准 450ms±30ms工作环境：15‑60℃，20‑80% RH 无凝露存储温度：0‑80℃状态记录：阀门动作计数、压力温度极值、超长、总运行时长、累计流量

应用场景

半导体刻蚀、ALD 原子层沉积、CVD 薄膜沉积；腔体吹扫工艺；第三代半导体；MEMS 器件制造；光伏量产设备；新建半导体设备；对动态比、工作温度要求高的研发设备。
HORIBA堀场SEC‑Z714SMG质量流量模块流量计HORIBA堀场SEC‑Z714SMG质量流量模块流量计

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