简要描述：HORIBA 堀场 D512MG 中流量质量流量计压差式 MFC，为该系列中小流量主力量产机型，采用压差层流测量架构，不受供气压力波动干扰。搭载 MG 多气体功能，通讯端可在线切换气体种类、修改满量程参数，无需拆回设备校准。内置 G‑LIFE 快速自诊断，可检测阀座泄漏、传感器漂移异常。压电金属隔膜阀，流路死体积小，全阶稳定时间≤0.8s。接液部件超净电解抛光，适配高纯、腐蚀性工艺气体。

子型号：D511MG、D512MG、D522MG、D507；压差压力式测量架构，压电阀驱动，多气体多量程，带 G‑LIFE 内置自诊断，D700 系列前代主力机型，VCR 接头属于选配配件。

产品简介

D500 系列为压力不敏感型 MFC，采用层流压差检测原理，摒弃传统热丝传感结构，受供气压力波动影响小，气路可省去部分调压元件，简化气盘设计。支持设备端在线切换气体种类、修改满量程参数，内置 G‑LIFE 快速自诊断功能，短时间完成模块健康状态自检，识别阀座泄漏、传感器漂移等异常。压电金属隔膜阀，死体积小，响应速度快；接液部件超净电解抛光，适配高纯、腐蚀性半导体工艺气体。机械安装尺寸可被 D700 系列直接替换。

产品特点

1. 压差压力式测量原理，双压力传感器采集压差结合层流节流算法换算质量流量，供气压力波动工况流量输出稳定。

2. 多气体多量程功能，通讯总线直接修改气体参数与满量程，无需拆回校准，降低备件库存。

3. G‑LIFE 快速自诊断，设备端完成模块健康检测，识别阀泄漏、传感器偏移，减少晶圆报废风险。

4. 宽动态控制区间 0.2‑100% FS，覆盖微流量到大流量区间；全阶响应时间≤0.8s。

5. 压电金属隔膜阀，流路死体积小，腔体置换速度快，适配 ALD、刻蚀快速工艺切换。

6. 多通讯兼容，支持模拟量、RS‑485、DeviceNet、EtherCAT，适配新建产线与老设备改造。

7. 内置运行数据记录，统计阀门动作次数、累计流量、压力温度极值，用于设备维护预判。

8. 接液部件 SUS316L 电解抛光，氦检漏等级高，微粒析出低，适配半导体超净气路。

各子型号区分

D511MG

微流量规格，面向微量前驱体供给，适配 ALD、离子注入微量掺杂；支持多气体在线切换，响应≤0.8s。

D512MG

中小流量主力机型，半导体刻蚀、薄膜沉积通用，多气体配置，兼顾量产稳定性与调试灵活性。

D522MG

中高流量规格，适配 CVD、腔体吹扫；压力耐受能力强，适合大流量工艺气路。

D507

大流量扩展机型，保持系列架构，覆盖更大流量区间，用于大流量沉积、退火制程。

通用技术参数

测量原理：压差压力层流式接液材质：SUS316L EP 电解抛光、镍合金阀结构：压电常闭金属隔膜阀通讯：模拟 0‑5V、RS‑485、DeviceNet、EtherCAT 可选供电：24VDC耐压：1000kPa (A)；氦检漏≤5×10⁻¹²Pa・m³/s控制区间：0.2‑100% FS响应时间：≤0.8s精度：±1.0% SP（5‑100% FS）工作环境：15‑45℃，20‑80% RH 无凝露存储温度：0‑80℃状态记录：G‑LIFE 自检结果、阀门动作计数、压力温度极值、超长、总运行时长、累计流量

应用场景

半导体 ALD 原子层沉积、干法刻蚀、薄膜沉积、离子注入；第三代半导体；MEMS 器件；光伏 PECVD；科研高纯气体配比；存量半导体设备。
HORIBA 堀场 D512MG 中流量质量流量计HORIBA 堀场 D512MG 中流量质量流量计

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