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| 品牌 | HORIBA/堀场 | 价格区间 | 1万-3万 |
|---|---|---|---|
| 产品种类 | 质量式 | 介质分类 | 气体 |
| 产地类别 | 进口 | 应用领域 | 半导体,机械设备 |
产品简介
D500 系列为压力不敏感型 MFC,采用层流压差检测原理,摒弃传统热丝传感结构,受供气压力波动影响小,气路可省去部分调压元件,简化气盘设计。支持设备端在线切换气体种类、修改满量程参数,内置 G‑LIFE 快速自诊断功能,短时间完成模块健康状态自检,识别阀座泄漏、传感器漂移等异常。压电金属隔膜阀,死体积小,响应速度快;接液部件超净电解抛光,适配高纯、腐蚀性半导体工艺气体。机械安装尺寸可被 D700 系列直接替换。
产品特点
压差压力式测量原理,双压力传感器采集压差结合层流节流算法换算质量流量,供气压力波动工况流量输出稳定。
多气体多量程功能,通讯总线直接修改气体参数与满量程,无需拆回校准,降低备件库存。
G‑LIFE 快速自诊断,设备端完成模块健康检测,识别阀泄漏、传感器偏移,减少晶圆报废风险。
宽动态控制区间 0.2‑100% FS,覆盖微流量到大流量区间;全阶响应时间≤0.8s。
压电金属隔膜阀,流路死体积小,腔体置换速度快,适配 ALD、刻蚀快速工艺切换。
多通讯兼容,支持模拟量、RS‑485、DeviceNet、EtherCAT,适配新建产线与老设备改造。
内置运行数据记录,统计阀门动作次数、累计流量、压力温度极值,用于设备维护预判。
接液部件 SUS316L 电解抛光,氦检漏等级高,微粒析出低,适配半导体超净气路。
各子型号区分
D511MG
微流量规格,面向微量前驱体供给,适配 ALD、离子注入微量掺杂;支持多气体在线切换,响应≤0.8s。
D512MG
中小流量主力机型,半导体刻蚀、薄膜沉积通用,多气体配置,兼顾量产稳定性与调试灵活性。
D522MG
中高流量规格,适配 CVD、腔体吹扫;压力耐受能力强,适合大流量工艺气路。
D507
大流量扩展机型,保持系列架构,覆盖更大流量区间,用于大流量沉积、退火制程。
通用技术参数
测量原理:压差压力层流式接液材质:SUS316L EP 电解抛光、镍合金阀结构:压电常闭金属隔膜阀通讯:模拟 0‑5V、RS‑485、DeviceNet、EtherCAT 可选供电:24VDC耐压:1000kPa (A);氦检漏≤5×10⁻¹²Pa・m³/s控制区间:0.2‑100% FS响应时间:≤0.8s精度:±1.0% SP(5‑100% FS)工作环境:15‑45℃,20‑80% RH 无凝露存储温度:0‑80℃状态记录:G‑LIFE 自检结果、阀门动作计数、压力温度极值、超长、总运行时长、累计流量
应用场景
半导体 ALD 原子层沉积、干法刻蚀、薄膜沉积、离子注入;第三代半导体;MEMS 器件;光伏 PECVD;科研高纯气体配比;存量半导体设备。
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