更新时间:2026-10-31
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在半导体晶圆制造与先进封装工艺中,光刻胶涂布与CMP(化学机械抛光)是决定图形精度和表面平整度的核心环节。然而,在这两道工序中,液体中残留的微气泡往往是导致良率下降的“隐形杀手"。
如何在不影响液体化学性质的前提下,高效去除微小气泡?DIC(迪爱生)SEPAREL® 高精度微型脱气模组提供了成熟的解决方案。
1. 光刻胶涂布的“针孔"危机
光刻胶具有高粘度特性,在管路输送和循环过程中极易卷入微气泡。如果气泡未被消除直接滴胶,在高速旋涂时会破裂,导致光刻胶涂层出现针孔、断线或厚度不均,直接影响后续的曝光与显影良率。
2. CMP研磨液的“划伤"隐患
CMP研磨液(Slurry)中含有大量纳米级磨料颗粒。液体中的气泡不仅会导致抛光速率不稳定,气泡破裂时产生的瞬间冲击力还容易在晶圆表面造成微划痕(Scratch)。此外,气泡聚集还会导致磨料沉淀和管路堵塞。
DIC(迪爱生)微型脱气模组之所以能解决上述痛点,得益于其的 SS膜(表面致密皮层中空纤维膜) 技术。该膜利用特殊的熔融成形工艺制成,只透气、不透液,即便是含有表面活性剂的复杂液体也能轻松应对。
针对光刻胶与CMP研磨液的特性,DIC 提供了多种高精度微型模组系列:
针对光刻胶/高纯药液(极小流量):
推荐使用 EF-AG系列(如EF-AG3、EF-AG5)或 EF-G系列(如EF-G2、EF-G4)。
优势:采用外灌流(EF)结构,压力损失极低,非常适合高粘度液体的精密除气。极小流量设计(可达mL/min级别)匹配光刻胶喷胶管路的需求,确保吐胶顺滑无气泡。
针对CMP研磨液/大循环管路(中流量):
推荐使用 PF系列(如PF-001D、PF-004D)或 EF-A系列(如EF-010、EF-020)。
优势:处理流量更大,且部分PF系列(内灌流结构)支持反向冲洗,能够有效应对研磨液中可能残留的颗粒物,防止流道堵塞。
紧凑,便于集成:微型模组体积小巧,可直接安装在涂胶显影机(Track)或CMP设备的狭窄管路上,无需改造现有设备空间。
ppb级脱气能力:不仅能去除宏观气泡,还能去除液体中溶解的氧气和氮气,防止光刻胶氧化变质或CMP过程中的微小气泡析出。
无金属析出:接液部分主要采用PMP聚烯烃或PTFE氟树脂材质,无金属离子污染风险,满足半导体超高纯要求。
在搭配设备时,若您的光刻胶粘度较高且流量极小, EF-AG/EF-G 系列;若您的CMP供液系统流量较大且对压损敏感,EF-A 系列将是理想选择。
(注:具体型号需根据液体粘度、目标脱气率及管路压力进行综合选型,欢迎咨询获取详细技术参数。)
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