更新时间:2026-09-28
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NIKKATO(日陶)自1921年创立以来,长期从事高性能工业陶瓷材料的研发与制造。其研磨球产品在电子材料、半导体、锂电新能源、精密陶瓷等领域有较多应用。目前NIKKATO日陶研磨球有现货库存。作为日系品牌代理,我们可提供选型咨询、操作指导和配件支持。采购时请确认材质体系、粒径规格、纯度等级和研磨设备工况是否匹配实际工艺需求。
NIKKATO研磨球的特点可以从三个基础维度来理解。
材质纯度控制。 氧化铝SSA-999W系列总杂质控制在100ppm以下,关键金属杂质在ppm级,并对铀、钍等放射性元素进行管控。氧化锆YTZ®系列ZrO₂+HfO₂含量约94.7%,Y₂O₃含量约5%。氮化硅SUN-11的Si₃N₄含量约90%,Fe含量低于10ppm。这些纯度控制措施,使其适合对金属污染敏感的电子材料和半导体工艺。
球形度与粒径分布。 YTZ®系列球形度≥99%,YTZ®-S球形度≥99.5%,圆度偏差较小。球形度稳定有助于研磨过程中受力均匀,减少对设备和内衬的磨损。粒径覆盖0.03mm至60mm,从纳米级微型球到粗磨大粒径球均有对应规格。
低磨耗特性。 YTZ®系列空磨磨损率约0.4ppm/h,YTZ®-S低于0.3ppm/h;SSA-999W磨耗率约6至15ppm/h。低磨耗有助于控制研磨过程中引入的杂质,延长介质更换周期。
YTZ®系列采用氧化钇稳定四方相氧化锆材质,体积密度约6.0g/cm³,约为普通氧化铝球的1.6倍。相同填充量下,能提供更大的研磨冲击动能,适合高粘度浆料和需要缩短研磨时间的场景。维氏硬度1250HV10,抗弯强度1200MPa,断裂韧性6.0MPa·√m,莫氏硬度9级。
YTZ®-S在YTZ®基础上将硬度提升至1280HV10,磨损率进一步降低,球形度≥99.5%,适合对研磨精度和污染控制有较高要求的应用。该系列尺寸覆盖0.03mm至25mm,其中0.03mm至0.8mm的微型球可用于纳米级粉碎。
氧化铝球分为通用HD系列和高纯度SSA系列,形成从一般工业研磨到电子级研磨的产品梯度。
HD系列(Al₂O₃约93%)密度约3.6g/cm³,维氏硬度约1100HV10,兼顾韧性与抗冲击性,适合干式粉碎和一般湿法研磨。另有HD-2系列(纯度约92%),可适应干式研磨工况。
SSA-995系列(Al₂O₃约99.5%)密度约3.8g/cm³,硬度约1500HV10,适配电子陶瓷基板和锂电池材料等对污染有一定敏感度的中端研磨场景。
SSA-999W系列(Al₂O₃约99.9%)密度约3.9g/cm³,莫氏硬度9级,磨耗率约6至15ppm/h。该系列总杂质控制在100ppm以下,适用于MLCC、半导体封装和纳米材料等对金属杂质敏感的工艺。
SUN系列以SUN-11为代表,Si₃N₄含量约90%,Fe含量低于10ppm,密度约3.2g/cm³,维氏硬度约1390HV10,断裂韧性5.5MPa·m¹/₂。氮化硅材料的突出特点是低密度和高硬度,同时具有较好的抗热震性和化学稳定性。
从耐磨性来看,SUN-11的维氏硬度使其耐磨寿命约为氧化锆球的5倍、氧化铝球的50倍。密度仅为3.20g/cm³,比氧化锆球轻约47%,可降低研磨机负载与能耗。该系列具备不导磁、电绝缘特性,能减少金属离子污染,适配MLCC钛酸钡粉体、固态电解质等对纯度与电性有要求的工艺场景。产品耐腐蚀性较好,可耐受除外的大部分强酸、强碱及熔融金属侵蚀,适合高硬度非氧化物粉体的研磨以及精密陶瓷轴承和运动部件。
| 材质 | 代表型号 | 密度 (g/cm³) | 维氏硬度 (HV10) | 空磨磨损率 | 尺寸范围 |
|---|---|---|---|---|---|
| 氧化锆 | YTZ® | 6.0 | 1250 | 0.4 ppm/h | 0.03-25mm |
| 氧化锆 | YTZ®-S | 6.0 | 1280 | <0.3 ppm/h | 0.03-25mm |
| 氧化铝 | HD | 3.6 | 1100 | — | 0.5-60mm |
| 氧化铝 | SSA-999W | 3.9 | 1800 | ≈6-15 ppm/h | 0.5-60mm |
| 氮化硅 | SUN-11 | 3.2 | ≈1390 | — | 0.3-25mm |
以上参数来源于产品技术资料。
MLCC制造。 MLCC介质层厚度不断减薄,对介电陶瓷粉体的粒径分布要求较高。YTZ®系列氧化锆球可将钛酸钡等陶瓷粉体研磨至约100至300纳米的亚微米级,有助于确保介电层厚度均匀。SSA-999W用于低杂质要求产线,可减少介质层黑点和电性能劣化。
半导体CMP抛光浆料制备。 化学机械抛光(CMP)是实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺,抛光浆料中磨料的粒径分布和纯度直接影响晶圆表面质量。NIKKATO超细氧化锆微珠可用于CMP抛光浆料中氧化锆磨料的制备,YTZ®-S在化合物半导体CMP应用中表现出较好的表面处理效果。
锂电池材料研磨。 在正负极浆料研磨中,YTZ®系列氧化锆球可将粒径D50降至1.2μm以下,有助于提升电池循环寿命。SUN氮化硅球适合硅系粉体,可避免氧化锆或氧化铝杂质污染硅材料。
非氧化物粉体与碳材料。 碳纳米管、石墨烯、碳黑、硅粉、碳化硅粉体等物料对氧化锆和氧化铝杂质较为敏感,SUN氮化硅球化学兼容性较好,适合此类粉体的研磨。
按纯度需求选择材质。 对金属杂质敏感的MLCC、半导体CMP和电子陶瓷粉体,优先选择SSA-999W(氧化铝)或YTZ®/YTZ®-S(氧化锆)系列;非氧化物粉体和碳材料建议选择SUN氮化硅系列;一般工业研磨场景,HD系列即可满足要求。
按研磨效率选择密度。 氧化锆球密度较高,在相同填充量下能提供更大的冲击动能,适合需要提高研磨效率或处理高粘度浆料的场景。氮化硅球密度较低,可降低研磨机负载与能耗。
按粒径需求选择规格。 NIKKATO研磨球尺寸覆盖0.03mm至60mm。纳米级研磨需选用0.03mm至0.8mm的微型球;常规粉体研磨可选用1mm至10mm规格;粗磨和中磨可选用15mm至25mm的大粒径球。
按工况选择系列。 YTZ®系列侧重纳米研磨和低污染控制,YTZ®-S在硬度和球形度上进一步提升;SSA-999W侧重高纯度和高耐磨性;SUN系列侧重低密度、高耐磨和抗热震性。
NIKKATO日陶研磨球目前有现货库存。作为日系品牌代理,我们可提供选型咨询、操作指导和配件支持。采购时请确认材质体系、粒径规格、纯度等级和研磨设备工况是否匹配实际工艺需求。